近日，台积联发科与台积公司联合宣布，电国联发科首款采用台积公司3纳米制程生产的产n成功天玑旗舰芯片开发进展顺利，已成功流片，联流片并计划明年量产。发科

    联发科总经理陈冠州表示：“联发科在拓展全球旗舰市场的首款策略上，致力于采用全球最先进的旗舰技术为用户打造尖端科技产品，提升及丰富大众生活。芯片台积电稳定且高品质的台积制造能力，让联发科在旗舰芯片上的电国优异设计得以充分展现，以高性能、产n成功高能效且品质稳定的联流片最佳芯片方案提供给全球客户，为旗舰市场带来前所未有的发科用户体验。”

    台积公司的首款3纳米制程技术不仅为高性能计算和移动应用提供完整的平台支持，还拥有更强化的旗舰性能、功耗以及良率。

    相较于5纳米制程，台积公司3纳米制程技术的逻辑密度增加约60%，在相同功耗下速度提升18%，或者在相同速度下功耗降低32%。

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