7 月 11 日，已提Hi Investment & Securities 研究员朴相佑在一份报告中表示：“三星电子近期成功地提高了 4nm 工艺的星电成品率”，并提高了“高通和英伟达再次合作的工艺高至可能性”。
此前，三星电子代工厂曾经历过产品上市延迟以及 10nm 以下工艺良率提升缓慢的已提情况，导致主要客户纷纷转向台积电。星电结果，工艺高至去年台积电的良率资本支出和产能分别是三星电子代工业务的 3.4 倍和 3.3 倍。
在 7nm 以下的已提先进工艺方面，台积电的星电市场占有率达到了 90%，这进一步拉大了两公司之间的工艺高至差距。
随着三星电子今年 4nm 工艺成品率超过 75%、良率3nm 工艺成品率超过 60%，再加上台积电涨价的影响，业界认为三星有望再次夺回被台积电抢走的客户，而且之前高通和英伟达等多位客户也曾表示他们有必要将其外包生产进行多元化。
根据三星代工在 SFF 2023 上公布的最新工艺技术路线图，该公司计划在 2025 年推出 2 纳米级的 SF2 工艺，2027 年推出 1.4 纳米级的 SF1.4 工艺。与此同时，该公司还公布了 SF2 工艺的一些特性。
IT之家注意到，在扩大技术供应的同时，三星仍然致力于扩大其在韩国平泽和美国得州泰勒市的产能。
三星计划于 2023 年下半年在其平泽 P3 线开始量产芯片，而泰勒市新建厂房预计将于今年年底完工，并于 2024 年下半年开始运营。三星目前的计划是到 2027 年将其洁净室容量比 2021 年增加 7.3 倍。
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