预计其他制造商也会跟进这一做法,中国在今年第四季度进一步减少NAND闪存的存储产量,目的比太是要加速去库存,同时稳定NAND闪存的高星价格,预计会带来0-5%的发狠涨幅。
这也是第季度涨DRAM芯片和NAND闪存制造商过去常见的做法,人为限制产能输出,中国从而遏制价格下跌,存储弥补亏损缺口。比太美光和SK海力士在更早之前就已经这么做了,只是三星一向奉行“逆周期”的战略,最后迫不得已才选择减产。
在这之前有消息称,美国可能让韩国芯片制造商无限期豁免于美国的半导体相关出口管制措施,这将让三星电子和SK海力士能够把芯片制造设备运往中国,有行业人士表示,此举可能让中国存储厂商陷入价格战。
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