[ 行业]  近日，英飞源车英飞凌宣布与中国的凌携新能源汽车充电市场企业英飞源达成合作。英飞凌将为英飞源提供业内领先的手英市场1200 V CoolSiC? MOSFET功率半导体器件，用于提升电动汽车充电站的飞源效率。　　SiC技术相比传统的拓展硅技术可将电动汽车充电站的效率提高1%，从而降低了能耗和运营成本。充电以一座100 kW的英飞源车充电站为例，这意味着节省1 kWh电能，凌携每年节省270欧元成本，手英市场以及减少3.5吨碳排放。飞源这将大幅推动SiC功率器件在电动汽车充电模块中的拓展应用。　　作为最早将沟槽栅技术用于晶体管的充电SiC功率半导体制造商之一，英飞凌推出了帮助提高充电解决方案可靠性的英飞源车先进设计。这些器件具有高阈值电压，凌携并简化了栅极驱动。手英市场CoolSiC MOSFET技术在上市前已通过马拉松应力试验及栅极电压跳变应力试验，并在上市后定期进行监控，以确保拥有最高栅极可靠性。　　通过采用英飞凌1200 V CoolSiC MOSFET，使得英飞源的30 kW直流充电模块能够实现宽恒功率范围、高功率密度、最小电磁辐射和干扰、高保护性能以及高可靠性。这使其不仅能够满足大多数电动汽车的快速充电需求，还能实现比市场上的其他解决方案高出1%的效率。这有助于大幅降低能耗和碳排放，达到全球领先水平。（文/ 杨益春）