港大破解化学界难题 优化半导体制造

[百科] 时间:2024-03-29 17:31:50 来源:蓝影头条 作者:探索 点击:147次
港大团队首次发现嗜金属相互作用具排斥性。破解(受访者供图)
  中评社香港1月18日电/大公报报道,化学化半香港大学表示,界难该校化学系主任支志明与化学系助理教授杨军率领的题优研究团队,已破解“闭壳层金属─金属之间相互作用”(又称嗜金属相互作用)这一困扰无机化学界多年的导体难题,该理论在过渡金属配合物的制造自组装过程中十分重要,并能广泛应用于有机半导体、破解生物传感和功能性光电材料中。化学化半研究成果现已在期刊《美国国家科学院院刊》(PNAS)发表。界难  港大指,题优到目前为止,导体学术界对嗜金属作用的制造普遍共识是“相互吸引的”,其作用原理被认为是破解由轨道杂化或重金属原子的相对论效应所导致。支志明和杨军率领的化学化半研究团队,运用精密的界难计算方法和实验技术,印证了金属─金属之间强烈的泡利排斥作用导致嗜金属具排斥性,而非传统认为的互相吸引。  研究团队在PNAS期刊中首次提出,“嗜金属相互作用”其实是具有相互排斥性,而轨道杂化和相对论效应会增强金属─金属之间的泡利排斥作用,而分子间的色散力和静电相互作用将抵销金属与金属之间的排斥力,从而导致金属与金属之间相互接近。港大表示,这项发现对于闭壳层金属配合物相关的研究具有长远的影响,并为制造可替代贵重金属的新型超分子材料(例如钯、银或镍的过渡金属配合物)提供理论支持,有助化学研究人员更了解分子间弱相互作用。  港大博士万晴云是期刊论文第一作者,她与杨军、支志明皆为共同通讯作者。研究得到香港研资局、香港大学合成化学国家重点实验室,以及港大资讯科技服务的支持。

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