记者4日从电子科技大学获悉，中国中国科学院院士、功率电子科技大学教授陈星弼因病医治无效，半导弼院于4日17时10分在成都逝世，体领享年89岁。陈星

陈星弼1931年1月28日出生于上海，士成世祖籍浙江浦江。中国1952年从同济大学电机系毕业后，功率他先后在厦门大学、半导弼院东南大学和成都电讯工程学院（现电子科技大学）工作。体领1999年当选为中国科学院院士，陈星2019年当选为国际电气与电子工程师协会终身会士。士成世

陈星弼是中国我国功率半导体领域的领路人和集大成者。他一生发表学术论文200余篇，功率获得中美等国专利授权40余项。半导弼院他是国际上首个提出超结耐压层理论的科学家，他的超结发明专利打破传统“硅极限”，被国际学术界誉为“高压功率器件新的里程碑”。

陈星弼曾获得国家技术发明奖、科技进步奖等诸多荣誉，2015年获得IEEE ISPSD（国际功率半导体器件与集成电路年会）颁发的最高荣誉“国际功率半导体先驱奖”，成为亚太地区首位获此殊荣的科学家。2018年入选IEEE ISPSD首届名人堂，成为首位入选名人堂的华人科学家。（新华网记者 吴晓颖）

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