HBM 全称是助推展今 High Bandwidth Memory，是年需一款新型的 CPU / GPU 内存芯片，将很多个 DDR 芯片堆叠在一起后和 GPU 封装在一起，求增实现大容量，长年高位宽的交付 DDR 组合阵列。
HBM 相比较传统 DRAM 具有高带宽、浪潮高容量、助推展今低延迟、年需低功耗等优势，特别适合 ChatGPT 等高性能计算场景。
注：自 2014 年推出首款采用 TSV 封装技术的 HBM 产品以来，HBM 技术已经历多次升级，先后经历了 HBM、HBM2、HBM2E、HBM3 和 HBM3e。
目前在 HBM3 研发最前沿的是 SK 海力士和三星两家公司，英伟达的 H100 / H800、AMD 的 MI300 系列 AI 加速卡均采用 HBM3。
SK 海力士和三星预计将在 2024 年第一季度提供 HBM3e 样品。另一方面，美国内存公司美光正在绕过 HBM3，直接追求 HBM3e。
HBM3e 将采用 24Gb 单晶芯片堆栈，并采用 8 层 (8Hi) 配置，单个 HBM3e 芯片的容量将飙升至 24GB。
HBM3e 预计将在 2025 年纳入 NVIDIA 的 GB100，导致三大 OEM 计划在 2024 年第一季度发布 HBM3e 样品，并在下半年进入量产。
除了 HBM3 和 HBM3e 之外，最新的更新表明存储巨头正在计划推出下一代 HBM——HBM4。
三星最近宣布已开发出 9.8Gbps HBM3E，并计划向客户提供样品。此外，三星正在积极开发 HBM4，目标是在 2025 年开始供货。
据报道，三星电子正在开发诸如用于优化高温热特性的非导电粘合膜（NCF）组装以及混合键合（ HCB)，适用于 HBM4 产品。
虽然 HBM4 有望取得重大突破，但仍有一段路要走，因此现在讨论其实际应用和广泛采用还为时过早。业内专家强调，目前 HBM 市场以 HBM2e 为主。然而，HBM3 和 HBM3e 有望在不久的将来占据领先地位。
集邦咨询预计，2023 年主流需求将从 HBM2e 转向 HBM3，预计需求占比分别约为 50% 和 39%。随着更多基于 HBM3 的加速器芯片进入市场，需求将在 2024 年大幅转向 HBM3，超过 HBM2e，预计占据 60% 的市场份额。
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(责任编辑：娱乐)