这种封装方案是力士将两个 DRAM 芯片水平并排放置，然后将它们组合成一个芯片。明年这种方案的显存消息优势是由于芯片下方没有添加基板，可以让成品微电路更薄。技术将推
援引该韩媒报道，重大装方台积电自 2016 年以来一直使用类似的突破安排来集成不同的芯片，并应用于苹果的力士处理器生产中，不过存储厂商此前并未关注过这项技术。明年
HBM 型存储芯片的显存消息垂直集成固然可以显著增加接口带宽，但成本高昂，技术将推而 SK 海力士研发的重大装方“2.5D fan-out”，能有效降低生产 DRAM 芯片成本，预估会在游戏显卡的 GDDR 显存中使用。
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(责任编辑：百科)