英伟达 CEO 黄仁勋期待三星 HBM3E 12H 表现,并在展台上留下亲笔签名

[娱乐] 时间:2024-03-28 20:57:48 来源:蓝影头条 作者:综合 点击:76次

IT之家 3 月 23 日消息,英伟三星电子美国分公司负责人韩进万(Han Jin-man)近日发布 LinkedIn 动态,达C待星分享了两张图片,黄仁英伟达首席执行官黄仁勋参观三星 GTC 2024 展台时,勋期现并下亲在 HBM3E 12H 上留下了亲笔签名。表笔签

图源:韩进万 LinkedIn 动态

黄仁勋在宣传“HBM3E 12H”产品卡片上,亲笔签下了“JENSEN APPROVED”的英伟字样。三星的达C待星 HBM3E 12H 是业界首款 12 层堆叠产品,英伟达目前正在对该产品进行验证测试。黄仁

而在该照片发布之前,勋期现并下亲黄仁勋在吹风会中表示:“三星是表笔签一家非常非常优秀的公司,英伟达已经开始验证三星的展台 HBM 内存芯片,并考虑在未来下单采购”。上留

韩进万还在社交媒体上分享了一张照片,英伟展示了黄仁勋在参观三星展台后和三星工作人员的合影照片。

图源:韩进万 LinkedIn 动态

黄仁勋并未正面表达亲笔签名的态度和确切含义,但业界猜测这反映了他对 HBM3E 的高度期望。

黄仁勋将 HBM 称为“技术奇迹”(technological miracle),相比较传统 DRAM,不仅可以提高数据中心的性能,功耗方面明显更低。

IT之家此前报道,三星 HBM3E 12H 支持全天候最高带宽达 1280GB/s,产品容量也达到了 36GB。相比三星 8 层堆叠的 HBM3 8H,HBM3E 12H 在带宽和容量上提升超过 50%。

据介绍,HBM3E 12H 采用了热压非导电薄膜(TC NCF)技术,使得 12 层和 8 层堆叠产品的高度保持一致,以满足当前 HBM 封装的要求。

因为行业正在寻找缓解薄片带来的芯片弯曲问题,这项技术将在更高的堆叠中带来更多益处。三星一直在努力降低其非导电薄膜(NCF)材料的厚度,并实现芯片之间的间隙最小化至 7 微米(µm),同时消除了层与层之间的空隙。

这些努力使其 HBM3E 12H 产品的垂直密度比其 HBM3 8H 产品提高了 20% 以上。

相关阅读:

《黄仁勋:三星是一家非常优秀的公司,英伟达正验证其 HBM 内存》

《三星发布其首款 36GB HBM3E 12H DRAM:12 层堆叠,容量再突破》

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