9 月 12 日消息，预业界用台据台媒《经济日报》报道，计年积电技术晶圆代工厂台积电 2nm 制程将于 2025 年量产，量产论坛市场看好进度可望领先对手三星及英特尔。看好
台积电先进制程进展顺利，其领3nm 将在今年下半年量产，先星芯片升级版 3nm（N3E）制程将于 3nm 量产一年后量产，和英或使即 2023 年量产，台积特2nm 预计于 2025 年量产。预业界用台
台积电 2nm 厂将落地竹科宝山二期扩建计划，计年积电技术“竹科管理局”已展开公共设施建设，量产论坛台积电 2nm 厂也开始进行整地作业。看好
台积电 2nm 首次采用纳米片架构，其领相较 N3E 制程，先星芯片在相同功耗下频率可提升 10% 至 15%。在相同频率下，功耗降低 25% 至 30%。
台积电总裁魏哲家日前在技术论坛中强调，台积电 2nm 将会是密度最优、效能最好的技术。市场也看好，台积电 2nm 进度将领先对手三星及英特尔。
IT之家了解到，此前消息称，虽然在 3nm 世代略有保守，但无论如何，鳍片 (Fin) 宽度都已经接近实际极限，再向下就会遇到瓶颈，所以外资法人预估台积电 2nm 先进制程将采用环绕式闸极场效电晶体 GAAFET 高端架构生产 2nm 芯片。
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