报道称 HBM 堆叠目前主要使用正使用热压粘合(TCB)和批量回流焊(MR)工艺,称星产层产品而最新消息称三星和 SK 海力士正在推进名为混合键合(Hybrid Bonding)的和SK海封装工艺,突破 TCB 和 MR 的力士发热、封装高度等限制。改进
Hybrid Bonding 中的装工 Hybrid 是指除了在室温下凹陷下去的铜 bump 完成键合,两个 Chip 面对面的艺即其它非导电部分也要贴合。因此,Hybrid Bonding 在芯粒与芯粒或者 wafer 与 wafer 之间是没有空隙的,不需要用环氧树脂进行填充。
援引该媒体报道,三星电子和 SK 海力士等主要公司已经克服这些挑战,扩展了 TCB 和 MR 工艺,实现最高 12 层。
报道称采用 Hybrid Bonding 工艺之后,显著提高了输入 / 输出(IO)吞吐量,允许在 1 平方毫米的面积内连接 1 万到 10 万个通孔(via)。
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