“在三星最新推出的年提R内12纳米级32Gb内存的基础上，我们可以研发出实现1TB内存模组的高万解决方案，这有助于满足人工智能和大数据时代对于大容量DRAM内存日益增长的倍星需求。”三星电子存储器事业部内存开发组执行副总裁SangJoon Hwang表示，发布“我们将通过差异化的首款工艺与设计技术，继续研发内存解决方案，存芯以突破内存技术的年提R内瓶颈。”
三星自1983年开发出首款64千比特（Kb）的高万内存以来，在过去的倍星40年间将内存容量提高了50万倍。最新开发的32Gb DDR5内存颗粒，采用前沿的工艺技术，提高了集成密度并优化了封装设计，与DDR5 16Gb颗粒相比，在相同封装尺寸情况下，三星单片DRAM内存颗粒容量翻倍。
尤其是，过去使用16Gb内存颗粒制造的DDR5 128GB内存模组需要采用硅通孔(TSV)工艺。而现在，通过使用最新开发的32Gb内存颗粒，即使不使用硅通孔(TSV)工艺也能够生产128GB内存模组。与使用16Gb内存封装的128GB内存模组相比，其功耗降低了约10%。这一技术突破使该产品成为数据中心等关注能效的企业的优选解决方案。
以12纳米级32Gb DDR5 DRAM为基础，三星计划继续扩充大容量内存产品阵容，以满足高性能计算和IT行业持续增长的需求。通过向数据中心，以及采用人工智能和下一代计算等应用的客户提供12纳米级的32Gb内存，三星希望巩固其在下一代内存市场的前沿地位。未来，该产品还将在三星与其他核心行业伙伴的长期合作中发挥至关重要的作用。
全新12纳米级32Gb DDR5 DRAM计划于今年年底开始量产。
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