10月9日，消息星电韩国总统办公室通报，美国美国同意三星电子和SK海力士向其位于中国的海力华提工厂提供设备，无需其它许可。供设意味着，半导备在无需单独批准的体大同意情况下，三星电子、消息星电SK海力士可以向中国工厂供应含美国技术的美国半导体设备。值得一提的海力华提是，全球最大和第二大存储芯片制造商，供设三星电子、半导备SK海力士在中国市场深耕多年。体大同意

　　另外，消息星电市场消息称，存储芯片价格已触底反弹，三星等国际大厂正在酝酿涨价，涨价预期主要集中在DRAM（动态随机存取存储器）芯片领域。二级市场上，10月9日，半导体板块逆势反弹，存储芯片方向领涨。其中，好上好录得涨停，斩获4连板；同有科技、江波龙、东芯股份、德明利、力源信息等领涨。

　　值得注意的是，台积电的3nm芯片突然被曝出良品率偏低，引发市场关注。据韩媒 ChosunBiz援引消息人士的话报道，三星电子、台积电的3nm半导体良品率目前都仅有50%左右。另外，有分析师声称，iPhone 15系列手机出现发热问题，可能是因为台积电的3nm制程上存在缺陷。

　　半导体大消息

　　10月9日，韩国总统办公室通报，美国同意三星电子和SK海力士向其位于中国的工厂提供设备，无需其它许可。意味着，在无需单独批准的情况下，三星电子、SK海力士可以向中国工厂供应含美国技术的半导体设备。

　　韩国总统办公室经济首席秘书崔相穆在记者会上表示，美国政府作出最终决定，将无限期豁免三星电子和SK海力士向其在华工厂提供半导体设备，无需其它许可。

　　崔相穆透露，美方已将这一决定通知三星电子和SK海力士等相关企业，将自即日起生效。

　　三星在一份声明中表示：“通过与相关政府的密切协调，与我们在中国的半导体生产线运营相关的不确定性已大大消除。”

　　SK海力士也表示：“我们欢迎美国政府延长出口管制法规豁免的决定。我们相信这一决定将有助于全球半导体供应链的稳定。”

　　回顾此前，2022年10月，拜登政府实施了全面的出口管制措施，禁止美企对中国芯片制造商出口生产芯片所需的设备。并规定三星电子、SK海力士需要获得许可证才能将美国芯片制造设备带入中国。

　　韩国《中央日报》分析称，由于美国的技术控制和出口限制，韩国正失去中国巨大的半导体市场。如果中国的半导体自主速度加快，高度依赖半导体产业的韩国经济必然会蒙受损失。韩国今年的国税收入将较预期减少59万亿韩元（约合人民币3247亿元），主要原因之一就是半导体企业业绩不振。

　　在强烈反对下，三星、SK海力士在华工厂获得了进口相关设备的豁免权，无需向美政府申请额外许可，豁免期限为1年，至今年10月11日。

　　2023年9月27日，韩联社报道，美国预计将无限期延长韩国芯片制造商三星、SK海力士在华工厂进口美国芯片设备的豁免权。

　　根据无限期豁免，美国商务部将把这两家芯片制造商添加到其“经过验证的最终用户”（VEU）名单中，该名单表明哪些实体可以接收各种美国技术的出口。一旦被列入名单，芯片制造商将不再需要单独出口案件的新许可。

　　值得一提的是，作为全球最大和第二大存储芯片制造商，三星电子、SK海力士在中国市场深耕多年。其中，三星电子在中国西安生产NAND闪存，SK海力士在无锡工厂生产DRAM芯片，在大连生产NAND闪存，两家公司都投资了数十亿美元。

　　Trend Force集邦咨询的数据显示，截至2023年6月末，这两家韩国企业控制着全球近70%的动态半导体存储器（DRAM）和50%的闪存芯片（NAND）市场。

　　涨价信号

　　近日，据多家媒体报道称，存储芯片价格已触底反弹，三星等国际大厂正在酝酿涨价，涨价预期主要集中在DRAM（动态随机存取存储器）芯片领域。

　　据《韩国经济日报》消息，三星电子近期与主要智能手机客户签署了内存芯片供应协议，其中包括小米、OPPO及谷歌。协议中，DRAM和NAND闪存芯片价格较现有合同价格上调幅度达到10-20%。

　　业内预计，随着下半年国内手机品牌陆续推新以及iPhone15系列发布，上游出货压力将逐步缓解，存储芯片调整周期尾声将至，整个存储芯片市场有望迎来拐点。

　　二级市场上，10月9日，半导体板块表现较为亮眼，存储芯片方向领涨，好上好斩获涨停，已连续4个交易日录得涨停，冠石科技、万润科技涨停，江波龙大涨超7%，东芯股份、力源信息、聚辰股份、德明利、兆易创新等跟涨。

　　消息面上，三星电子将下调平泽三厂(P3)投资规模，并大砍DRAM、NAND Flash达产规模，其中NAND增设规模或降至原定三分之一水准。三星电子调查显示，各领域客户存储库存调整已接近完成。

　　今年以来，三星一直坚定执行减产战略，今年1月、4月已连续宣布调整晶圆投入。最初的减产举措主要集中在DRAM领域，之后下半年三星着手大幅削减NAND Flash业务产量。

　　分析人士指出，三星的目标是，扩大减产规模，降低供应量，再提高产品价格来寻求反转。三星预计，从2024年开始将会有部分地区的DRAM和NAND Flash供应出现短缺。

　　SK证券研究员Han Dong-hee认为，三星的第二波减产计划和获利优先政策有望带动存储芯片价格反弹。

　　台积电突传利空

　　据韩媒 ChosunBiz 报道，消息人士称，三星电子、台积电的3nm半导体良品率目前都仅有50%左右。这一水平还不足以吸引硬件供应商的目光。

　　报道称，据一位熟悉三星的人士透露，要赢得高通等大客户明年的3纳米移动芯片订单，良率至少需要提高到70%。

　　至于台积电，虽然作为目前唯一一家拥有3nm量产记录的公司，但其产量同样低于最初预期。有分析师表示，台积电3nm工艺中使用了与上一代工艺相同的FinFET结构，可能“未能控制”过热问题。

　　值得一提的是，自苹果iPhone 15/Pro系列手机自发布以来，收到了许多用户关于手机发热的报告，相关话题一度冲上热搜，引发热议。近日，有分析师声称，iPhone 15系列手机出现发热问题，可能是因为台积电的3纳米制程上存在缺陷。台积电在3纳米工艺中使用了与上一代工艺相同的FinFET结构，没能很好地控制过热问题。

　　而苹果方面则坚称，发热问题纯粹是软件问题，并已经为iOS 17发布了补丁来解决这个问题。

　　此前，天风国际分析师郭明錤在社交平台上发文，针对目前苹果iPhone 15 Pro手机过热问题进行了解读，并表示，“与台积电3nm制程无关”。主要可能是为了让重量更轻，因此对散热系统设计作出了妥协，像是散热面积较小、采用钛合金影响散热效果等。

（文章来源：券商中国）

(责任编辑：综合)