报道指出包括日本的导体凸版印刷（Toppan）、美国的光掩福尼克斯（Photronics）和大日本印刷（DaiNippon Printing）在内，目前大部分光掩膜制造商产能利用率均在 100% 满负荷生产。厂商甚至部分中国芯片公司愿意额外支付费用，满负膜供以缩短交货周期。荷运
注：在集成电路领域，转全光掩模的球半求功能类似于传统相机的“底片”，在光刻机、导体光刻胶的光掩配合下，将光掩模上已设计好的厂商图案，通过曝光和显影等工序转移到衬底的光刻胶上，进行图像复制，从而实现批量生产。
光掩膜在半导体芯片制造过程中扮演着不可或缺的角色，尤其是在先进制程中，更为精密的电路图案需要更多层的光掩膜来协助生产。比如，成熟的工艺可能需要 30 个光掩膜，而最新的先进制程可能需要多达 70 到 80 个光掩膜来处理。
中芯国际目前采用 DUV 生产 7nm 芯片，相比较 EUV，DUV 需要更多光掩膜来实现多重电路图案制造。
凸版印刷在其最新的季度财报（7 月至 9 月）中表示，预计 2023 年光掩膜的需求将持续增强。大日本印刷也在 4 月至 9 月期间的半年财报中对这一说法表示同意。
民生证券方竞研报认为，随着我国半导体产业占全球比重的逐步提升，我国半导体掩膜版市场规模也逐步扩大，国内掩膜版行业的景气度有望持续旺盛，厂商有望迎来业绩的高速增长。
半导体光掩膜版的图形尺寸、精度及制造技术要求不断提高，高端光掩膜版国产化率仅为 3%。在光罩的制备上我国半导体掩膜版产业同样面临高端设备、材料被国外厂商垄断的情况。
在光掩膜产业链，上游主要为设备、基板、遮光膜、化学试剂；中游为光掩膜制造；下游则是芯片、平板显示、触控、电路板等。
掩膜版国产替代需求迫切，我国大陆光掩膜厂商营收规模与海外龙头厂商仍有较大差距。预计到 2028 年，我国掩膜版市场规模将达到 360 亿元。
A 股公司中，路维光电已实现 250nm 制程节点半导体掩膜版的量产，掌握 180nm / 150nm 制程节点半导体掩膜版制造核心技术能力；清溢光电已实现 180nm 工艺节点半导体芯片掩膜版的客户测试认证及量产，正在开展 130nm-65nm 半导体芯片掩膜版的工艺研发和 28nm 半导体芯片所需的掩膜版工艺开发规划。
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(责任编辑：综合)