据介绍，地东晶圆级先进封测系介于前道晶圆制造与后道封装测试之间的莞松半导体制造中道工序，采用光刻、山湖闪存刻蚀、已推电镀、存储测制出PVD、晶圆级先进封CVD、造项CMP、目落Strip 等前段晶圆制造工序，地东以实现凸块（Bumping）、莞松重布线（RDL）、山湖闪存扇入（Fan-in）、扇出（Fan-out）、硅通孔（TSV）等工艺技术，不仅可以将芯片直接封装在晶圆上，节省物理空间，还能够将多个芯片集成在同一个晶圆上，实现更高的集成度。
佰维存储表示，落地晶圆级先进封测项目有利于公司产品实现更大的带宽、更高的速度、更灵活的异构集成以及更低的能耗，赋能移动消费电子、高端超级计算、游戏、人工智能和物联网等应用领域的客户。
佰维存储还透露，公司已掌握 16 层叠 Die、30~40μm 超薄 Die、多芯片异构集成等先进封装工艺，为 NAND、DRAM 芯片和 SiP 封装产品的创新力及大规模量产提供支持。
深圳佰维存储科技股份有限公司成立于 2010 年，专注于存储芯片研发与封测制造，是国家高新技术企业，国家级专精特新小巨人企业，并获得国家大基金战略投资。
据此前报道，佰维已推出 UFS 3.1 高速闪存，写入速度最高可达 1800MB/s，是上一代通用闪存存储的 4 倍以上，读取速度达 2100MB/s，容量达 256GB（未来将推出 512GB、1TB 容量），尺寸为 11.5×13.0×1.0mm，用于旗舰智能手机产品。
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