自今年年初以来,电计三星一直奉行减产战略,幅提此前曾报道,高N格三星的消息下月晶圆产量大幅下降了 40%,最初的称星存减产举措主要集中在 DRAM 领域,之后下半年三星开始着手大幅削减 NAND Flash 业务产量,电计眼下正试图推动 NAND 价格正常化。幅提
如今 DRAM 已出现价格反弹,高N格而 NAND 产品仍存突破空间。三星目标是扩大减产规模,降低供应量,再提高产品价格来寻求反转,其期望明年第二季实现 NAND 盈亏平衡点。
SK 证券研究员 Han Dong-hee 认为,三星的第二波减产计划和获利优先政策有望带动存储芯片价格反弹。
目前业内买卖双方正在洽谈合约价,外媒认为 DRAM 及 NAND Flash 第四季度合约价将上涨 10%-15%,三星甚至计划调涨 20%,不过仍待观察具体成交价。
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(责任编辑:焦点)