台积电的正规高雄工厂目前也正在积极“备战”，预估将会在 N2 工艺登场 1 年后，划量采用背面供电技术，台积量产 N2P（2nm 加强版）工艺。电加
此前报道，速迈台积电此前透露信息，向n息在 N2 工艺上扩展背面电源轨（backside power rail）解决方案，工高雄工厂减少红外衰减和改善信号，艺消性能可以提高 10% 至 12%，正规并让逻辑面积减少 10% 至 15%。
台积电计划 2025 年下半年向客户交付背面电源轨样品，并与 2026 年量产。
三星此前公布的半导体规划，2025 年大规模量产 2nm，2027 年量产 1.4nm；而英特尔方面，预估 2024 年上半年量产 l 采用 Gate All Around（GAA）技术 RibbonFET 电晶体架构的 20A，2025 年量产 18A。
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