此外，明年三星有望于 2024 年底前在美国开始大规模生产采用 4 纳米级工艺技术的底开芯片，领先于台积电位于亚利桑那州的始大生产 Fab 21 工厂。
据《韩国先驱报》报道，批量三星联合首席执行官 Kyung Kye-hyun 在首尔国立大学的将美积电一次特别演讲中表示，三星代工厂对其在半导体市场的国击地位持乐观态度，并准备比以前更积极地挑战台积电。败台
三星即将在美国得克萨斯州泰勒附近建立的纳米晶圆厂，将是明年该公司多年来在美国的第一座领先生产设施，三星对其寄予厚望，底开将使其能够满足美国众多客户的始大生产需求，并挑战英特尔和台积电的代工厂服务。
报道称，如果一切按计划进行，三星 4 纳米级工艺技术（SF4E、SF4、SF4P、SF4X 和 SF4A）的新工厂将于 2024 年底开始大批量生产。虽然这很难对代工市场产生立竿见影的影响，但三星可以说它凭借美国的 4 纳米工艺击败了台积电。
不过，三星代工仍将落后于英特尔代工服务，后者计划于 2024 年开始在其 20A（2 纳米级）节点上生产芯片，并于 2024 年至 2025 年开始在 18A（1.8 纳米级）节点上生产芯片。
TrendForce 数据显示，三星代工厂在代工芯片制造市场上的市场份额从第一季度的 9.9% 飙升至 2023 年第二季度的 11.7%，收入达到 32.34 亿美元（备注：当前约 237.05 亿元人民币），高于第一季度的 27.57 亿美元。虽然台积电保持了主导地位，但其市场份额下降至 56.4%，营收为 156.56 亿美元。
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(责任编辑：探索)