据华工科技激光半导体产品总监黄伟介绍，切割半导体晶圆属于硬脆材料，设备一个12英寸(300毫米)的核心化晶圆上有数千颗甚至数万颗芯片，而晶圆切割和芯片分离，部件无论采取机械或激光方式，中国都会因物质接触和高速运动而产生热影响和崩边，第台从而影响芯片性能，高端国产因此，晶圆激光控制热影响的切割扩散范围和崩边尺寸是关键。
据悉，设备晶圆机械切割的核心化热影响和崩边宽度约20微米，传统激光在10微米左右。
此外，切割线宽的减少，意味着晶圆能做到更高的集成度，从而使得半导体制造更经济、更有效率。
从去年起，华工科技针对半导体晶圆切割技术，展开微纳米级激光加工的迭代升级、攻坚突破，20多人团队两班倒，轮流做测试实验和产品优化，设备24小时不停。
经过一年努力，华工科技成功实现半导体晶圆切割技术的升级，热影响降为0，崩边尺寸降至5微米以内，切割线宽可做到10微米以内。
按照生产一代、研发一代、储备一代的理念，华工科技还正在研发具备行业领先水平的第三代半导体晶圆激光改质切割设备，计划今年7月推出新产品。
同时，华工科技也在开发我国自主知识产权的第三代半导体晶圆激光退火设备。
公开资料显示，华工科技成立于1999年，拥有2万多平方米的研发、中试基地，以及3个海外研发中心，并与华中科技大学共建有激光加工国家工程研究中心、国家防伪工程研究中心、敏感陶瓷国家重点实验室。
通过产学研用纽带，华工科技牵头制定国家“863”计划项目、国家科技支撑计划项目、十三五国家重大科技计划专项等50余项，牵头制定中国激光行业首个国际标准，获得国家科技进步奖3项。
(责任编辑：娱乐)