原标题：三星半导体二期项目在西安投资将超140亿美元

　　记者近日从位于西安高新区的星半三星（中国）半导体有限公司采访了解到，三星半导体高端存储芯片二期项目总投资将超过140亿美元。导体二期项目已于2018年3月开工建设，期项预计今年7月份建成，目西美元2020年一季度实现量产。安投

　　三星（中国）半导体有限公司副总裁池贤基在采访中说，超亿三星半导体的星半存储芯片二期项目分为两个阶段，第一阶段投资70亿美元，导体第二阶段详细计划还未出炉，期项但预计会超过70亿美元，目西美元总投资将超过140亿美元。安投

　　2012年，超亿西安高新区成功引进三星电子存储芯片项目，星半生产“V－NAND”闪存芯片。导体一期项目于2014年5月竣工投产。期项“一期项目计划投资70亿美元，实际总投资超过了100亿美元。”池贤基说。

　　据介绍，直接在中国生产“V－NAND”闪存芯片，将使三星更有效率地应对市场的变化和顾客的需求。池贤基说，三星半导体继续投建二期项目，表示他们对中国经济很有信心。（记者 李华 薛天）

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