央视网消息：由中科院院士、国碳功耗北京大学教授彭练矛和张志勇教授带领的基半团队经过多年的科研探索，在碳基半导体制备材料研究领域取得突破性进展，导体该科研成果近日发表在国际权威学术期刊《科学》上。制备至少

　　彭练矛和张志勇教授带领科研团队在四英寸基底上制备出密度高达每微米120根、材料半导体纯度超过99.9999%的研制约左右碳纳米管平行阵列，并在此基础上首次实现了性能超越同等栅长硅基CMOS的突破晶体管和电路，成功突破了长期以来阻碍碳纳米管电子学发展的国碳功耗瓶颈。

　　相比传统硅基技术，基半碳基半导体具有成本更低、导体功耗更小、制备至少效率更高的材料优势，因此也被视作是研制约左右性能更好的半导体材料。与国外硅基技术制造出来的突破芯片相比，我国碳基技术制造出来的国碳功耗芯片在处理大数据时不仅速度会更快，而且至少能节约30%左右的功耗。

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