专利摘要显示，集成本发明涉及芯片制造技术领域。芯片
该方法包括：制备硅基Cu/SiO2混合键合样品和金刚石基Cu/SiO2混合键合样品后进行等离子体活化处理；将经等离子体活化处理后Cu/SiO2混合键合样品浸泡于有机酸溶液中，清洗后吹干；
在吹干后的大联硅基和/或金刚石基Cu/SiO2混合键合样品的待键合表面上滴加氢氟酸溶液，将硅基和金刚石基Cu/SiO2混合键合样品对准贴合进行预键合，手基得到预键合芯片；将预键合芯片进行热压键合，于硅退火处理，刚石公布得到混合键合样品对。集成
本发明实现了以Cu/SiO2混合键合为基础的硅/金刚石三维异质集成。
据悉，该专利于2023年10月27日申请公布。受此影响，培育钻石概念涨幅已超16%。
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