协昌科技(301418.SZ):目前已搭建沟槽型MOSFET、中低压SGT MOSFET、高压超结MOSFET及IGBT四个研发平台

[探索] 时间:2024-04-29 14:24:03 来源:蓝影头条 作者:时尚 点击:166次
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来源:格隆汇

格隆汇8月25日丨有投资者向协昌科技(301418.SZ)提问,中低“请问贵司有研发芯片吗?”

协昌科技回复称,高压公司全资子公司凯思半导体专利从事功率芯片产品的平台研发和销售,公司目前已经搭建了沟槽型 MOSFET、协昌中低压SGT MOSFET、科技高压超结 MOSFET 及 IGBT 四个研发平台,目前拥有了较为完整的已搭压S研产品线布局。

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(责任编辑:娱乐)

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