报道称，闪存双层这将使三星的沿用进度超过 SK 海力士 —— 后者计划 2025 年上半年量产三层堆栈架构的 321 层 NAND 闪存。早在 2020 年，架构三星就已首次引入双层堆栈架构，星计生产第 7 代 V-NAND 闪存芯片。划明
▲ 图源三星注：双层堆栈架构指在 300mm 晶圆上生产一个 3D NAND 堆栈，年生然后在第一个堆栈的产第超层基础上建立另一个堆栈。
而三星即将生产的代V堆栈超 300 层第 9 代 V-NAND 将提高单个晶圆上生产的存储密度，这将有利于降低固态硬盘的闪存双层成本。
作为竞争对手，沿用SK 海力士的三层堆栈架构则是创建三组不同的 3D NAND 层，而这种做法将增加生产步骤和原材料的用量，目的是最大限度提高产量。
另据《首尔经济日报》报道，业界认为三星在推出第 9 代 3D NAND 之后，将有望在第 10 代 430 层的 3D NAND 中采取三层堆栈架构。该报援引业内人士称，若 3D NAND 层数超过 400，原材料用量和晶圆成本也会水涨船高，同时也会保证产量。
在去年 10 月举行的“2022 三星科技日”上，三星曾提出长期愿景：2030 年将层数提升至 1000 层。
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(责任编辑：综合)