集微网消息，华金美国时间7月14日晚9点30分左右，证券之地中高光刻胶供应商陶氏化学（DowsChemical）位于路易斯安那州的半导兵家必争普拉克明工厂发生爆炸。

　　光刻胶品种众多，体材替代依据工艺条件选取相应品种。料行光刻胶能够利用光化学反应，光国产经过曝光、刻胶刻胶显影等光刻工艺，端光道远将所需微细图形从掩模版转移到待加工基片上。任重半导体光刻胶使用主要取决于制程，华金通常越先进制程相应需要使用越短曝光波长光刻胶，证券之地中高以达到特征尺寸微小化。半导兵家必争G/I线、体材替代KrF光刻胶均为成熟制程用光刻胶，料行G/I线光刻胶主要用于高压汞灯光源光刻工艺，光国产对应工艺制程为350nm及以上；KrF光刻胶主要用于KrF激光光源光刻工艺，对应工艺制程250-150nm；ArF光刻胶主要用于DUV光刻工艺，可用于130-14nm芯片工艺制程，其中干法主要用于130-65nm工艺，浸没式主要用于65-14nm工艺。

　　高端光刻胶需求增加，国内外厂商将逐鹿KrF、ArF光刻胶。摩尔定律趋近极限，半导体制造制程进步使得所对应光刻加工特征尺寸（CD）不断缩小，配套光刻胶也逐渐由G线(436nm)→I线(365nm)→KrF(248nm)→ArF(193nm)→F2(157nm)方向转移，从而满足IC制造更高集成度要求。制造8寸、12寸晶圆需使用KrF、ArF光刻胶，全球8寸/12寸晶圆厂扩产将带动KrF、ArF光刻胶需求。根据SEMI数据，2026年全球300 mm（12寸）晶圆厂产能有望提高至960万片/月；全球半导体制造商预计将从2021年到2025年将200mm晶圆厂产能提高20%，新增13条200mm生产线，产能有望超700万片/月，故未来KrF、ArF光刻胶将成为国内外厂商主要竞争市场。根据TECHCET数据，2025年，KrF/ArF光刻胶市场规模分别为9.07/10.72亿美元。

　　美日厂商垄断光刻胶市场，市场高度集中，国内厂商多集中于中低端市场。根据Research And Markets数据，2021年日本合成橡胶（JSR）、东京应化（TOK）、杜邦、信越化学、住友化学等五大厂商垄断近85%市场份额，且日本厂商占比超过70%。目前国内厂商主要以紫外宽谱、g线、i线等产品为主，国内厂商在该等产品领域已经占据一定市场份额，而在KrF、ArF/ ArFi、EUV等中高端光刻胶领域，仍主要依赖于进口，国内企业大多还在积极研发、验证中，尚未大规模量产出货。其中，彤程新材KrF产品在Poly、AA、Metal、TM/TV、Thick、Implant、ContactHole等工艺市占率持续攀升；华懋科技ArF光刻胶26款，涵盖65nm、55nm、40nm、28nm及以下关键层工艺以及LOGIC、3DNAND、DRAM等应用领域，KrF光刻胶30款，涵盖55nm、40nm、28nm及以下关键层工艺以及集成电路、分立器件、传感器等应用领域；南大光电ArF光刻胶及配套材料项目所需光刻车间和生产线已建成，验证工作正在多家下游主要客户稳步推进；晶瑞电材ArF高端光刻胶研发工作在有序开展中，KrF高端光刻胶部分品种已量产；上海新阳KrF光刻胶已经在超10家客户端提供样品进行测试验证，并取得部分样品订单，通过测试验证，ArF浸没式光刻胶研发进展顺利，实验室样品目前取得数据指标与对标产品大部分接近。

　　投资建议：建议关注国内研发能力强，光刻胶产品通过验证且已进入半导体制造厂商供应链龙头公司。

　　风险提示：宏观经济形势变化风险致使产业链受到冲击；光刻胶厂商研发进度不及预期；光刻胶国产替代进程不及预期。

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