Intel 4 是工更注英特尔工艺中首次应用极紫外光（EUV）的工艺。根据 IC Knowledge 提供的率高逆向工程数据，Intel 4 工艺的期比起性能优于台积电 5nm，接近 3nm 工艺，能效但 William 坚持“很难将 Intel 4 与其他代工厂的英特艺良于预现有节点进行比较，所以只是尔副参考外部基准测试执行了自己的 PPA”。
“通过 EUV，总裁重我们可以控制工艺复杂性”，工更注“我们成功收获得了比预期更高的率高产量”，他说道。期比起
William Grimm 介绍称，能效Intel 4 节点是一个特别注重能源效率的工艺。“如果说 Intel 7 工艺是专注于性能最大化的工艺，那么 Intel 4 则专注于提高能效”，“它更适合笔记本电脑等应用”。
它还表示，“（EUV 产能）已经有足够的保障来满足市场需求”，并且“未来几年的计划，比如 Intel 3 已经确定了”。
附英特尔路线图（部分已延期）：
与基于 FinFET 晶体管优化的英特尔 10 纳米 SuperFin 相比，英特尔 7 可实现每瓦 10% 到 15% 的性能提升。英特尔 7 将在 2021 年面向客户端的 Alder Lake 和数据中心的 Sapphire Rapids 等产品中出现，预计将于 2022 年第一季度投产。
英特尔 4 完全采用 EUV 光刻技术，使用超短波长光打印超小巧的功能。随着性能功耗比提高约 20%，加上区域改进，英特尔 4 将在 2022 年下半年开始生产，用于 2023 年发货的产品，包括客户 Meteor Lake 和数据中心 Granite Rapids。
英特尔 3 进一步利用 FinFET 优化和增强的 EUV，相比英特尔 4，性能比增加了 18%/瓦，还提供了额外的区域改进。英特尔 3 将于 2023 年下半年开始生产产品。
英特尔 20A 采用两种突破性技术 （RibbonFET 和 PowerVia）引领了 angstrom 时代。自 2011 年率先开创 FinFET 以来，英特尔实施门全面晶体管，将成为该公司首个全新晶体管架构。该技术实现了更快的晶体管切换速度，同时在较小的占用空间中实现了与多翼相同的驱动器电流。PowerVia 是英特尔在行业内率先实施后端供电，通过消除晶片前端电源布线需求，优化了信号传输。预计 2024 年英特尔 20A 将有所提升。该公司还对有机会使用其英特尔 20A 工艺技术与 Qualcomm 进行合作感到兴奋。
2025 年及以后： 除了英特尔 20A 之外，英特尔 18A 也在 2025 年初开始开发，包括为带状 FET 提供的优化，这将实现晶体管性能的又一重大飞跃。英特尔还致力于定义、构建和部署下一代 High NA EUV，并希望获得业界首个生产工具。英特尔与 ASML 紧密合作，以确保实现超越最新一代 EUV 的行业突破。
借助英特尔的新 IDM 2.0 战略，封装在意识到摩尔定律的优势方面变得越来越重要。英特尔宣布，AWS 将是第一个使用 IFS 封装解决方案的客户，同时也提供了有关公司业界领先的高级封装路线图的以下见解：
EMIB 继续成为行业领先者，成为首款 2.5D 嵌入式桥接解决方案，产品自 2017 年发货。Sapphire Rapids 将是第一款使用 EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）批量运送的英特尔 ® 至强 ® 数据中心产品。它将成为行业内第一个双斜视图大小的设备，其性能几乎与单片设计相同。除了 Sapphire Rapids，下一代 EMIB 将从 55 微米碰撞间距迁移至 45 微米。
Foveros 利用晶片级封装功能，提供了首创性的 3D 堆栈解决方案。Meteor Lake 将是客户端产品中第二代实施 Foveros，具有 36 微米碰撞间、块横跨多个技术节点以及 5 至 125W 的散热设计功率范围。
Foveros Omni 为芯片到芯片互连和模块化设计提供了性能 3D 堆栈技术，提供了无限的灵活性，引领了新一代 Foveros 技术。Foveros Omni 允许芯片分离，在混合晶片节点上将多个顶芯片块和多个基块混合在一起，预计于 2023 年实现批量制造。
Foveros Direct 转向将铜质绑定为铜质绑定，以进行低耐用性互连，并模糊晶片末端和封装开始地点之间的边界。Foveros Direct 实现了 10 微米以下的碰撞间距，提高了 3D 堆栈的互连密度，为功能芯片分区开创了过去无法实现的新概念。Foveros Direct 是 Foveros Omni 的补充，预计也在 2023 年就绪。
广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，所有文章均包含本声明。
(责任编辑：娱乐)