报道称，明年此前有消息表示三星电子的订单3nm良品率超过60%，且已经向中国客户交付了一款芯片，星台但由于该工艺省略了逻辑芯片中的积电竞争SRAM，因此很难将其视为“完整的良品率仅3nm芯片”。一位熟悉三星的影响人士透露，“要赢得高通等大客户明年的明年3nm移动芯片订单，良品率至少需要提高到70%。订单”
至于台积电，星台虽然作为目前唯一一家拥有3nm量产记录的积电竞争公司，但其产量同样低于最初预期。良品率仅有分析师表示，台积电3nm工艺中使用了与上一代工艺相同的FinFET结构，可能“未能控制”过热问题。
此外，一位半导体业内人士透露称，三星、台积电和英特尔都在准备2nm工艺，但与3nm相比，性能和功耗效率的提升“并不明显”，因此预计3nm工艺芯片的需求持续时间将超过预期。
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