新华社上海3月16日电（记者吴振东）半导体芯片运算速度越来越快，芯片新思但随之而来的散热饰新芯片发热问题困扰着业界和学界。复旦大学科研团队新近开发出一种介电基底修饰新技术，出介有望解决芯片散热问题。电基底修相关研究成果在线发表于权威科学期刊《自然·通讯》。技术

　　研究表明，芯片新思在一个芯片中，散热饰新半导体材料和绝缘体材料之间，出介以六方氮化硼为材质的电基底修界面材料，将对其电子迁移率和散热产生至关重要的技术影响。传统方式是芯片新思，研究人员先将其在别的散热饰新“盆”里种出来，然后移栽到芯片材料上。出介

　　复旦大学聚合物分子工程国家重点实验室研究员魏大程带领团队，电基底修开发了一种共形六方氮化硼修饰技术，技术在最低温度300摄氏度的条件下，无需催化剂直接在二氧化硅/硅片（SiO2/Si）、石英、蓝宝石、单晶硅基底表面“生长”高质量六方氮化硼薄膜。这一带来“无缝”效果的共形修饰技术，能让芯片材料性能显著提升。

　　专家表示，这一技术具有高普适性，不仅可以应用于基于二硒化钨材料的晶体管器件，还可以推广到其他材料和更多器件应用中，共形六方氮化硼也具有规模化生产和应用的巨大潜力。

原标题：芯片散热有了新思路 我国科学家开发出介电基底修饰新技术