该公司表示，英特规划到 2025 年时，尔计其 3D Foveros 封装的年使能增产能将增加四倍。英特尔副总裁 Robin Martin 今日在槟城受访时透露，装产未来槟城新厂将会成为该公司最大的加倍 3D 先进封装据点。
2021 年，英特英特尔宣布将投资 71 亿美元（备注：当前约 517.59 亿元人民币）在槟城峇六拜建造一家由英特尔运营的尔计全新领先半导体封装工厂。
根据英特尔的年使能增说法，作为处理器和主板之间的装产物理接口，芯片的加倍封装对产品级性能有着至关重要的作用。先进的封装技术便于各种各样的计算引擎实现跨多进程技术集成，并有助于在系统架构中采用全新方法。
据介绍，英特尔的 Foveros 封装技术采用 3D 堆栈来实现逻辑对逻辑的集成，为设计人员提供了极大的灵活性，从而在新设备外形要素中混搭使用技术 IP 块与各种内存和输入 / 输出元素。产品可以分成更小的小芯片 (chiplet) 或块 (tile)，其中 I / O、SRAM 和电源传输电路在基础芯片中制造，高性能逻辑小芯片或块堆叠在顶部。
除此之外，英特尔的全新封装功能正在解锁新的设计，通过将 EMIB 和 Foveros 技术相结合，允许不同的小芯片和块互连，性能基本上相当于单个芯片。凭借 Foveros Omni，英特尔称设计人员利用封装中的小芯片或块可获得更大的通信灵活性。
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